成果介绍
自下向上合成的石墨烯纳米带(GNRs)由于其原子级可控的结构和可定制的物理性质而越来越受到人们的关注。近年来，一系列基于GNRs的场效应晶体管(FET)已经被制造出来，其中一些在低温下表现出量子点(QD)的行为。然而，了解低温电荷输运特性与器件中GNRs数量之间的关系是具有挑战性的，因为GNRs在结中的长度和位置不能精确控制。
有鉴于此，近日，瑞士苏黎世联邦理工学院Mickael L. Perrin，瑞士联邦材料科学与技术实验室Michel Calame和Jian Zhang（共同通讯作者）等提出了一种基于双栅FET的方法，允许识别不同的场景，例如单个GNR，平行的双或多个GNRs，以及单个GNR与电荷陷阱相互作用。因此，本文的双栅FET结构为理解原子级精确GNRs中的电荷输运提供了一种定量方法。
图文导读
图1. 双栅GNR量子点器件。
图2. GNRs数量的确定。
图3. 温度对量子点行为的影响。
文献信息
Determining the Number of Graphene Nanoribbons in Dual-Gate Field-Effect Transistors
（Nano Lett., 2023, DOI:10.1021/acs.nanolett.3c01931）
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